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Sigma-Aldrich

三氧化二镓

≥99.99% trace metals basis

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别名:
氧化镓
经验公式（希尔记法）:
Ga2O3
CAS号:
12024-21-4
分子量:
187.44
EC 号:
234-691-7
MDL编号:
MFCD00011020
PubChem化学物质编号:
24852864
NACRES:
NA.23

质量水平

100

检测方案

≥99.99% trace metals basis

形式

(crystalline powder)

reaction suitability

reagent type: catalyst
core: gallium

密度

5.88 g/mL at 25 °C

SMILES string

O=[Ga]O[Ga]=O

InChI

1S/2Ga.3O

InChI key

QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N

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一般描述

氧化镓（III）（Ga2O3）是一种宽带隙半导体，属于透明半导体氧化物（TSO）家族。它可以形成不同的多晶型，如α-、β-、γ-、δ- 和 ε-。多晶和纳米晶 Ga2O3 可以使用多种方法制备，如化学气相沉积、热蒸发和升华、分子束外延、熔体生长等。它被广泛用作各种应用的功能材料，包括光电子、化学传感器、催化、半导体器件、场效应晶体管等。

应用

Ga2O3 被广泛用作制造电致发光器件的主体材料。例如，可以使用掺杂铕的 Ga2O3 薄膜作为发光层来制造光学透明的电致发光器件。

由于其独特的光学和电学特性，如中等电导率和高激光损伤阈值，Ga2O3 可用于激光驱动的电子加速器、低损耗等离子体和硅基电介质激光加速器。

它也可以用作丙烷脱氢制丙烯的有效催化剂。
用于制备 Sr2CuGaO3S 的起始材料，这是一种罕见的方形金字塔镓的例子。

储存分类代码

11 - Combustible Solids

WGK

WGK 2

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Not applicable

闪点(°C)

Not applicable

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