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263265

Sigma-Aldrich

镓

99.99% trace metals basis

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别名:
Elemental gallium
线性分子式:
Ga
CAS号:
7440-55-3
分子量:
69.72
MDL编号:
MFCD00134045
PubChem化学物质编号:
24855960

质量水平

200

检测方案

99.99% trace metals basis

形式

(metallic liquid or solid (ambient temp dependent))

电阻率

25.795 μΩ-cm, 30°C

bp

2403 °C (lit.)

mp

29.8 °C (lit.)

密度

5.904 g/mL at 25 °C (lit.)

储存温度

2-8°C

SMILES字符串

[Ga]

InChI

1S/Ga

InChI key

GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N

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一般描述

镓(Gallium)是一种稀土元素，广泛用于智能电子装置和集成电路，具有低能耗和高运算速度的优点。因其高沸点和低熔点，在较宽的温度范围内呈现液态。因其高电荷，可形成硫酸化、氯化和磷酸化复合物。镓化合物可用于先进的半导体和LED芯片。

应用

镓可作为前体合成：
  • 氮化镓等镓基化合物，用于光电领域。
  • 硫/镓杂化正极材料，用于锂硫电池。镓金属表面的电催化性可促进多硫化锂的氧化还原反应。
  • 基于镓的液体合金，用于制造柔性电子装置。

特点和优势

  • 优异的热和电传导性
  • 在较宽的温度范围内呈现液态
  • 高温下具有低蒸汽压

象形图

CorrosionExclamation mark
GHS05,GHS07

警示用语：

Warning

危险声明

H290 - H302 - H412

危险分类

Acute Tox. 4 Oral - Aquatic Chronic 3 - Met. Corr. 1

储存分类代码

8A - Combustible, corrosive hazardous materials

WGK

WGK 3

闪点(°F)

Not applicable

闪点(°C)

Not applicable

个人防护装备

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges

法规信息

危险化学品

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Elizabeth M Carnicom et al.
Dalton transactions (Cambridge, England : 2003), 46(41), 14158-14163 (2017-10-07)
Previously unreported σ-phases in the ternary niobium-based systems Nb-X-Ga for X = Ru, Rh, Pd, Ir, Pt, Au, and Nb-X-Al for X = Ir, and Pt are presented, prepared by arc-melting followed by annealing at 1000 °C for 1 week.
Sayan Sarkar et al.
Scientific reports, 9(1), 8180-8180 (2019-06-05)
Recent advances in high performance thermoelectric materials have garnered unprecedented attention owing to their capability of direct transformation of heat energy to useful electricity. Copper Telluride (Cu2Te), a member of the chalcogenide family has emerged as a state-of-the-art thermoelectric material
Chen, X.Z. et al.
Chemistry of Materials, 11, 75-75 (1999)
C Tessarek et al.
Optics express, 21(3), 2733-2740 (2013-03-14)
Self-assembled GaN rods were grown on sapphire by metal-organic vapor phase epitaxy using a simple two-step method that relies first on a nitridation step followed by GaN epitaxy. The mask-free rods formed without any additional catalyst. Most of the vertically
Yanpeng Liu et al.
Nature communications, 5, 5461-5461 (2014-11-21)
Layer-by-layer-stacked chemical vapour deposition (CVD) graphene films find applications as transparent and conductive electrodes in solar cells, organic light-emitting diodes and touch panels. Common to lamellar-type systems with anisotropic electron delocalization, the plane-to-plane (vertical) conductivity in such systems is several
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