形式
solid
reaction suitability
core: manganese
mp
230 °C (dec.) (lit.)
SMILES string
[Mn].C[C]1[C](C)[C](C)[C](C)[C]1C.C[C]2[C](C)[C](C)[C](C)[C]2C
InChI
1S/2C10H15.Mn/c2*1-6-7(2)9(4)10(5)8(6)3;/h2*1-5H3;
InChI key
ALEXWXWETMUIKL-UHFFFAOYSA-N
储存分类代码
11 - Combustible Solids
WGK
WGK 3
闪点(°F)
Not applicable
闪点(°C)
Not applicable
个人防护装备
Eyeshields, Gloves, type N95 (US)
分析证书(COA)
输入产品批号来搜索 分析证书(COA) 。批号可以在产品标签上"批“ （Lot或Batch）字后找到。
已有该产品？
为方便起见，与您过往购买产品相关的文件已保存在文档库中。
难以找到您所需的产品或批次号码？
如何查找产品货号
在网站页面上，产品编号会附带包装尺寸/数量一起显示（例如：T1503-25G）。请确保 在“产品编号”字段中仅输入产品编号 (示例: T1503).
示例
其它示例：
705578-5MG-PW
PL860-CGA/SHF-1EA
MMYOMAG-74K-13
1000309185
输入内容 1.000309185)
遇到问题？欢迎随时联系我们技术服务 寻求帮助
如何查找COA批号
批号可以在产品标签上"批“ （Lot或Batch）字后面找到。
Aldrich 产品
如果您查询到的批号为 TO09019TO 等，请输入去除前两位字母的批号：09019TO。
如果您查询到的批号含有填充代码（例如05427ES-021），请输入去除填充代码-021的批号：05427ES。
如果您查询到的批号含有填充代码（例如 STBB0728K9），请输入去除填充代码K9的批号：STBB0728。
未找到您寻找的产品？
部分情况下，可能未在线提供COA。如果搜索不到COA，可在线索取。
商品
Atomic layer deposition (ALD) techniques have emerged in the last ten years to meet various needs including semiconductor device miniaturization, conformal deposition on porous structures and coating of nanoparticles. ALD is based on two sequential self-limiting surface reactions.
近十年来出现了原子层沉积（ALD）技术以满足各种需求，包括半导体器件小型化、多孔结构上的保形沉积和纳米颗粒涂层。ALD基于两个相继的自限性表面反应。
Spin-based electronic (spintronic) devices offer significant improvement to the limits of conventional charge-based memory and logic devices which suffer from high power usage, leakage current, performance saturation, and device complexity.
我们的科学家团队拥有各种研究领域经验，包括生命科学、材料科学、化学合成、色谱、分析及许多其他领域.
联系技术服务部门