描述
Crystallographic D spacing ((0001) - c plane: 2.165 Angstrom)
Crystallographic D spacing ((1011) - s plane: 1.961 Angstrom)
Crystallographic D spacing ((1040) - m plane: 1.375 Angstrom)
Crystallographic D spacing ((1102) - r plane: 1.740 Angstrom)
Crystallographic D spacing ((1120) - a plane: 2.379 Angstrom)
Crystallographic D spacing ((1123) - n plane: 1.147 Angstrom)
single side polished
质量水平
表单
single crystal substrate
硬度
9 mohs
长度 × 宽度 × 厚度
10 mm × 10 mm × 0.5 mm
mp
2040 °C (lit.)
半导体性质
<0001>
SMILES字符串
O=[Al]O[Al]=O
InChI
1S/2Al.3O
InChI key
TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N
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特点和优势
III-V 族氮化物及许多其他外延膜的常用基底。
物理属性
热膨胀 = 7.5 × 10 -6 /°C；比热 = 0.10 cal/°C；热导率 = 46.06@0°C,25.12@100°C,12.56@400°C (W/m,K)；介电常数 = ~9.4@300 K（A 轴，~11.58@C 轴）；A 轴上 10 GHz 时的损耗正切 < 2 × 10 -5 ，C 轴上 5 × 10 -6
外形
结晶，六方 (a = 4.758Å，c = 12.992)
储存分类代码
13 - Non Combustible Solids
WGK
nwg
闪点(°F)
Not applicable
闪点(°C)
Not applicable
个人防护装备
Eyeshields, Gloves, type N95 (US)
我们的科学家团队拥有各种研究领域经验，包括生命科学、材料科学、化学合成、色谱、分析及许多其他领域.
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