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761036

Sigma-Aldrich

SYLGARD® 184

10 g clip-pack

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别名:
乙烯基封端的PDMS, 固化剂, 硅树脂, 聚二甲基硅氧烷
NACRES:
NA.23

质量水平

100

描述

Dielectric shore 43
Volume resistivity 2.9E+14 ohm*cm

形式

liquid

折射率

n/1554 1.3997
n/1321 1.4028
n/589 1.4118
n/632.8 1.4225

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一般描述

SYLGARD®是一种硅基柔性材料套件，是由聚合物基料和与聚合物基质交联的固化剂组成的双组分系统。最终形成的复合材料是在室温下具有约5.2 MPa拉伸强度(UTS)和约44邵氏硬度的聚二甲基硅氧烷(PDMS)。固化温度越高，UTS、硬度和杨氏模量(E)也随之增加。

应用

SYLGARD®184基PDMS可用于软光刻，适于多种应用，如微流体、微机电系统(MEMS)和其他柔性电子器件。它还还可形成疏水性PDMS膜，用作光伏电池中的润湿膜。

包装

方便的泡罩包装预称重单体和固化剂。其中分两部分透明袋包装，单独隔开、不会混合。
SYLGARD 184硅树脂弹性体试剂盒由基础/固化剂以10（基础）:1（固化剂）重量比混合组成，用于手动混合。

制备说明

表面准备- 在需要粘合的应用中，许多有机硅灌封胶都需要涂底漆。为了获得最佳效果，应将底漆涂在非常薄的、均匀的涂层中，然后在涂完后擦去。涂布后应在涂布有机硅弹性体之前彻底固化。有关底漆使用的附加说明，请参见各个底漆的特定信息表。

加工/固化 - 彻底混合的有机硅灌封胶可以直接倒入/分装到固化容器中。应注意尽量减少带入空气。 如果可行，倾倒/分装应在真空下进行，特别是当被灌封或封装的组件有许多小空隙时。如果无法使用此技术，应在倾倒/分装有机硅灌封胶后对设备抽真空。Dow 有机硅灌封胶可以是室温（25°C/77°F）或加热固化。室温固化的灌封胶还可热加速以加快固化速度。产品选择表中给出了每种产品的理想固化条件。

使用期限和固化速率- 固化反应从混合过程开始。最初，固化表现为粘度逐渐增加，随后是凝胶化并转化为固体弹性体。使用期限的定义为底漆和固化剂混合后粘度翻倍所需的时间，它取决于温度和应用。请参见数据表。

使用温度范围-对于大多数应用，有机硅弹性体应当可以在 -45 至 200°C（-49 至 392°F）的温度范围内长时间有效。但是，在这一范围的低温和高温处，材料的行为和特定应用中的性能可能变得更加复杂，需要额外考虑，并且应该针对特定的最终使用环境进行充分测试。对于低温性能，可能进行热循环到 -55°C (-67°F) 等条件，但是您应验证您的零件或组件的性能。可能影响性能的因素有组件的构造和应力敏感性、冷却速率和保持时间以及先前的温度情况。在高温下固化的有机硅弹性体的耐用性取决于时间和温度。正如预期的那样，温度越高，材料保持可用的时间就越短。

相容性 - 某些材料、化学品、固化剂和增塑剂会抑制加成固化凝胶的固化。最值得注意的物质包括：有机锡和其他有机金属化合物、含有有机锡催化剂的硅橡胶、硫、多硫化物、聚砜或其他含硫材料、不饱和烃类增塑剂和一些助焊剂残留物。如果基材或材料存在可能导致抑制固化的问题，建议进行小规模相容性测试以确定在给定应用中的适用性。在有问题的基材和固化凝胶之间的界面处存在液体或未固化产品表明不相容性和固化抑制。

法律信息

Sylgard is a registered trademark of The Dow Chemical Company or an affiliated company of Dow

象形图

Exclamation mark
GHS07

警示用语：

Warning

危险声明

H315 - H319 - H335

危险分类

Eye Irrit. 2 - Skin Irrit. 2 - STOT SE 3

靶器官

Respiratory system

储存分类代码

10 - Combustible liquids

WGK

WGK 3

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Langmuir, 18, 5314-5320 (2002)
Process and material properties of polydimethylsiloxane (PDMS) for Optical MEMS
Schneider F, et al.
Sensors and actuators A, Physical, 151(2), 95-99 (2009)
Suh, Kahp Y.; et al.
Advanced Materials, 13, 1386-1389 (2001)
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Johnston ID, et al.
Journal of Micromechanics and Microengineering, 24(3), 035017-035017 (2014)
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