form
solid
mol wt
average Mw 40,000-60,000 by GPC
color
dark blue
mp
>200 °C
λmax
820 nm (thin film)
orbital energy
HOMO 5.2 eV
OFET device performance
Bottom gate top contact device with silane modified SiO2 dielectric.Processing method spin coating; thermal annealing at 140 °C/ 10 min
PDI
2.5‑3.0
General description
PDPP2T-TT-OD是基于噻吩的导电聚合物，其中二酮吡咯并吡咯（DPP）为电子缺陷基团，辛基十二烷基为侧基。其结构含有一个DPP-噻吩和一个可变的联噻吩（2T）。它具有高电荷携带能力，使其可用于开发基于有机电子的设备。
Application
Xerox在含有100-300 nm天然SiO2介电质的n-掺杂硅晶片上展示出器件
该介质被十八烷基三氯硅烷自组装单层改性。XSC4p膜通过旋涂（1000 rpm，60秒）0.5–0.7 wt.％的聚合物溶液进行沉积。将薄膜在真空烘箱中于80°C干燥10分钟，
然后在140°C加热退火10分钟。使用荫罩（90微米通道）通过真空蒸发对金源漏极进行沉积。
使用Keithley SCS-4200系统对电气性能进行了表征。所报告的迁移率是四个设备ε的平均饱和迁移率±
标准差
该介质被十八烷基三氯硅烷自组装单层改性。XSC4p膜通过旋涂（1000 rpm，60秒）0.5–0.7 wt.％的聚合物溶液进行沉积。将薄膜在真空烘箱中于80°C干燥10分钟，
然后在140°C加热退火10分钟。使用荫罩（90微米通道）通过真空蒸发对金源漏极进行沉积。
使用Keithley SCS-4200系统对电气性能进行了表征。所报告的迁移率是四个设备ε的平均饱和迁移率±
标准差
Legal Information
Xerox产品®。Xerox® 是Xerox公司的注册商标。
Xerox is a registered trademark of Xerox Corporation
警示词
Warning
危险代码
Hazard Classifications
Eye Irrit. 2 - Skin Irrit. 2 - STOT SE 3
靶器官
Respiratory system
存储类别
11 - Combustible Solids
WGK
WGK 3
闪点 (F)
Not applicable
闪点 (°C)
Not applicable