形式
solid
质量水平
组成
Ni, 20.0-31.5% EDTA titration
reaction suitability
core: nickel
reagent type: catalyst
mp
171-173 °C (lit.)
SMILES string
[Ni].[CH]1[CH][CH][CH][CH]1.[CH]2[CH][CH][CH][CH]2
InChI
1S/2C5H5.Ni/c2*1-2-4-5-3-1;/h2*1-5H;
InChI key
FOOKRXHSBKEWSE-UHFFFAOYSA-N
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应用
警示用语：
Danger
危险分类
Acute Tox. 4 Oral - Carc. 1A - Flam. Sol. 1 - Skin Sens. 1
储存分类代码
4.1B - Flammable solid hazardous materials
WGK
WGK 3
闪点(°F)
Not applicable
闪点(°C)
Not applicable
个人防护装备
Eyeshields, Faceshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges
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Atomic layer deposition (ALD) techniques have emerged in the last ten years to meet various needs including semiconductor device miniaturization, conformal deposition on porous structures and coating of nanoparticles. ALD is based on two sequential self-limiting surface reactions.
近十年来出现了原子层沉积（ALD）技术以满足各种需求，包括半导体器件小型化、多孔结构上的保形沉积和纳米颗粒涂层。ALD基于两个相继的自限性表面反应。
Spin-based electronic (spintronic) devices offer significant improvement to the limits of conventional charge-based memory and logic devices which suffer from high power usage, leakage current, performance saturation, and device complexity.
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