液相和气相沉积前体

我们提供范围广泛的高纯度无机和有机金属化学品，专为溶液工艺、化学气相沉积（CVD）、金属有机化学气相沉积（MOVCVD）和原子层沉积（ALD）应用而设计。我们的材料质量上乘，纯度从 99% 到 99.9999%。这些沉积前驱体种类繁多，可满足您的所有研究需求，无论是用于台架规模实验、中试规模项目还是生产。我们全面的产品组合包括

金属卤化物
金属卤化物
金属烷基
金属 β-二酮酸酯
金属羰基

硅烷及硅烷醇
硅酸盐
茂金属
金属烷氧基

金属烷氧基

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溶液沉积前驱体

溶液沉积前驱体（通常称为溶胶-凝胶前驱体）的应用范围已大大扩展，涵盖了各种化学工艺。现在，这种方法被广泛定义为制造固体材料，包括金属氧化物、纳米结构、致密陶瓷或玻璃，以及由前驱体溶液生成的薄膜。我们的溶液沉积前驱体经过精心设计，通过严格控制痕量金属杂质，提供无与伦比的一致性和可靠性。我们深知，保持溶胶-凝胶前驱体的高纯度对于实现最终材料的理想特性和功能至关重要。

我们提供 55 种不同的贱金属，其特点是：

超高纯度痕量金属，纯度从 99.9% 到 99.999%，具有卓越的研究性能。
可提供的官能团包括乙酸酯、乙酰丙酮、叔丁醇、异丙氧基、苯氧基、乙氧基、三仲丁氧基、甲氧基和 2- 乙基己酸酯。
质量稳定，规格齐全，适合各种应用。
在适当的溶剂中溶解度高，便于为溶胶-凝胶工艺制作均匀的溶液。

化学气相沉积（CVD）/原子层沉积（ALD）

原子层沉积（ALD）和化学气相沉积（CVD）前驱体在制造纳米级金属、半导体和绝缘材料薄层的过程中发挥着举足轻重的作用。

我们认识到，为 CVD 和 ALD 选择合适的前驱体对于生产高质量薄膜至关重要。前驱体的化学成分会影响薄膜的成分、结构和功能。必须仔细评估纯度、挥发性、热稳定性以及与基底表面的反应性等关键因素，所有这些因素都会影响薄膜的结晶度、厚度和表面形态。我们的前驱体在沉积温度下具有热稳定性，并能与基底发生反应，从而确保最佳的薄膜沉积效果。凭借这些卓越的材料品质，我们致力于为您的特定研究和应用需求提供支持，使您能够获得精确、高质量的薄膜。

物理气相沉积 (PVD) 前驱体

物理气相沉积 (PVD) 是一种利用固体源气化材料在基底上沉积薄膜的技术。我们为广泛的 PVD 应用提供高纯度溅射靶材、颗粒、金属箔和蒸发蛞蝓。这些应用包括微电子器件、电池电极、扩散屏障和光学镀膜，确保了各行各业的高性能成果。

为沉积系统包装的前驱体

我们提供的高质量 ALD 前驱体安全、方便地预包装在坚固的钢瓶中，确保与各种沉积系统兼容。每个圆筒都配有精密阀门，可控制进入沉积室的材料流量，从而提高操作效率和安全性。

应用

CVD是纳米电子学领域的一项领先技术，可合成对提高电子设备性能和微型化至关重要的高质量纳米材料。CVD 广泛用于生产碳纳米管 (CNT)、氮化硼纳米管 (BNT)、石墨烯以及 SnO₂ 和 ZnO 等金属氧化物，这些材料对于开发高效、超小型设备至关重要：二维 (2D) 过渡金属二掺杂物 (TMD) 因其卓越的电子和光学特性而显得尤为重要，CVD 在生长可优化器件性能的高质量薄膜方面发挥着关键作用，而器件性能则受到层数、晶粒大小、取向和形态等因素的影响。CVD 在精确生长这些材料方面发挥着重要作用，可确保在各种应用中实现最佳性能。此外，基于碳化硅（SiC）的纳米材料因其卓越的机械、热和电气性能而受到越来越多的关注，适用于各种应用。最近在 CVD 和溶胶-凝胶工艺方面取得的进展进一步提高了碳化硅纳米结构的制造水平，使晶体管和传感器等高性能器件能够在极端条件下工作。

总之，CVD 是推动纳米电子学、可再生能源和纳米技术进步的关键技术。它可以精确地制造薄膜和纳米结构，这对高性能太阳能电池、储能设备和可再生能源中的燃料电池组件至关重要。在电子领域，CVD 可促进先进晶体管、传感器和微型设备材料的生长。此外，它在合成药物输送和创新材料等应用领域的纳米材料方面也发挥着重要作用。通过应对材料合成和集成方面的挑战，CVD 为未来的技术创新铺平了道路。