214906
次磷酸 溶液
50 wt. % in H2O
别名:
卑磷酸
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关于此项目
线性分子式:
H3PO2
化学文摘社编号:
分子量:
66.00
NACRES:
NA.21
PubChem Substance ID:
UNSPSC Code:
12352106
MDL number:
Concentration:
48-52% in NaOH (titration), 50 wt. % in H2O
Form:
liquid
vapor pressure
<17 mmHg ( 20 °C)
Quality Level
form
liquid
concentration
48-52% in NaOH (titration), 50 wt. % in H2O
pH
1 (20 °C, 500 g/L)
density
1.206 g/mL at 25 °C
SMILES string
O[PH2]=O
InChI
1S/H3O2P/c1-3-2/h3H2,(H,1,2)
InChI key
ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N
General description
H3PO2，一种一元含氧酸，也称为次膦酸。H3PO2 作为还原剂参与芳族和脂族二硒醚转化成相应的硒醇。
它在Ce（IV）和强酸存在下进行氧化，得到铈（IV）次磷酸盐络合离子。
它在Ce（IV）和强酸存在下进行氧化，得到铈（IV）次磷酸盐络合离子。
Application
- 通过ZnI(2)介导的次磷酸与双(三甲基硅烷基)亚胺酸酯之间的级联反应合成氨基双膦酸酯。：研究提出了在碘化锌介导的级联反应中利用次磷酸合成氨基双膦酸酯的新方法，这可能对药物化学中新化学实体的开发具有重要意义（Ayadi et al., 2023）。
- 膦基桥接液晶二聚体的简易合成。：研究探讨了次磷酸在膦基桥接液晶二聚体合成中的应用，促进了材料科学和显示技术的潜在进步（Wang et al., 2022）。
- 使用硝酸钌(VI)配合物在酸性水溶液中氧化次磷酸。质子耦合N原子转移机理的证据。：研究了钌配合物氧化次磷酸的机理细节，阐明了催化和合成中的重要反应途径（Li et al., 2022）。
- 可用于光伏的具有可调谐带隙的溶液处理锗(ii)基硫系薄膜。：讨论了次磷酸在锗基硫系薄膜开发中的应用，促进了光伏材料的进步（Hu et al., 2022）。
- 一锅法合成芳硒基酰肼及其作为潜在抗结核药物的计算机分子对接研究。：利用次磷酸一锅法合成了芳硒基酰肼，通过分子对接研究评估了其作为抗结核药物的潜力（Borges et al., 2022）。
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signalword
Danger
hcodes
Hazard Classifications
Eye Dam. 1 - Met. Corr. 1 - Skin Corr. 1B
存储类别
8B - Non-combustible corrosive hazardous materials
wgk
WGK 1
flash_point_f
Not applicable
flash_point_c
Not applicable
Enzheng Shi et al.
ACS nano, 13(2), 1635-1644 (2019-03-01)
Edges of two-dimensional (2D) halide perovskites are found to exhibit unusual properties such as enhanced photoluminescence lifetime and reduced photoluminescence emission energy. Here, we report the formation mechanism and the dynamic nature of edge states on exfoliated 2D halide perovskite
Hypophosphorous acid mediated dehalogenation in water.
Jang DO.
Tetrahedron Letters, 37(30), 5367-5368 (1996)
Shibin Deng et al.
Nature communications, 11(1), 664-664 (2020-02-02)
Two-dimensional hybrid organic-inorganic perovskites with strongly bound excitons and tunable structures are desirable for optoelectronic applications. Exciton transport and annihilation are two key processes in determining device efficiencies; however, a thorough understanding of these processes is hindered by that annihilation
全球贸易项目编号
| 货号 | GTIN |
|---|---|
| 214906-100G | 04061838773210 |
| 214906-4KG | 04061837759956 |
| 214906-500G | 04061838773227 |
| 214906-4X4KG | 04061837759963 |