Product Name
多层碳纳米阵列, vertically aligned on silicon wafer substrate
方案
>95% carbon basis (x-ray)
直径× 长度
100-150 nm × 30 μm , SEM
表面覆盖度
surface coverage (CNT) ~1 × 109‑2 × 109 nm/cm2
InChI
1S/C
InChI key
OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N
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一般描述
1cm x 1cm Si 晶片基板，{100}，厚度 300-550 μm，n 掺杂，电阻率为 1-10 ohm-cm。
多壁碳纳米管（MWNT，CNT）是通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）制备的。所形成的 CNT 可以在催化剂载体上形成束状，也可以在底物上形成图案。1 每个 MWCNT 的尖端都焊接了直径与纳米管直径相同的镍催化剂颗粒。
应用
适用于纳米电子学的高质量 CNT 阵列
特点和优势
每个 MWCNT 的尖端都焊接了直径与纳米管直径相同的镍催化剂颗粒。
包装
包装在真空释放™（VR）托盘中。参见技术公报AL-237。
制备说明
等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法
法律信息
Vacuum Release is a trademark of Gel-Pak
储存分类代码
11 - Combustible Solids
WGK
WGK 3
闪点(°F)
Not applicable
闪点(°C)
Not applicable
个人防护装备
dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves
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