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Merck
CN

237264

Sigma-Aldrich

Resolve-Al La

99%

别名:

La(tmhd)3, 三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)镧

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About This Item

线性分子式:
La(OCC(CH3)3CHCOC(CH3)3)3
CAS号:
分子量:
688.71
MDL编号:
UNSPSC代码:
12142201
PubChem化学物质编号:
NACRES:
NA.21
方案:
99%
沸点:
370 °C (lit.)

方案

99%

表单

powder or crystals

沸点

370 °C (lit.)

mp

128-131 °C (lit.)

SMILES字符串

CC(C)(C)C(=O)\C=C(/O[Yb](O\C(=C/C(=O)C(C)(C)C)C(C)(C)C)O\C(=C/C(=O)C(C)(C)C)C(C)(C)C)C(C)(C)C

InChI

1S/3C11H20O2.La/c3*1-10(2,3)8(12)7-9(13)11(4,5)6;/h3*7,12H,1-6H3;/q;;;+3/p-3/b3*8-7-;

InChI key

IXHLTRHDDMSNAP-LWTKGLMZSA-K

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法律信息

储存分类代码

11 - Combustible Solids

WGK

WGK 3

闪点(°F)

Not applicable

闪点(°C)

Not applicable

个人防护装备

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)

法规信息

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Structural and electrical properties of a La2O3 thin film as a gate dielectric.
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The Journal of the Korean Physical Society, 11(6) (2002)
Study on the precursors for La2O3 thin films deposited on silicon substrate.
Jun J, et al.
Journal of Materials Science Letters, 21(23), 1847-1849 (2002)
MOCVD of lanthanum oxides from La (tmhd)3 and La (tmod)3 precursors: A thermal and kinetic investigation.
Bedoya C, et al.
Chem. Vap. Deposition, 12(1), 46-53 (2006)

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