651478
锑化镓
(single crystal substrate), <100>, diam. × thickness 2 in. × 0.5 mm
别名:
Gallium antimony, Gallium monoantimonide
表单
(single crystal substrate)
电阻率
~0.1 Ω-cm
直径× 厚度
2 in. × 0.5 mm
mp
710 °C
980 °C (lit.)
密度
5.619 g/mL at 25 °C
5.62 g/mL at 25 °C (lit.)
半导体性质
<100>
SMILES字符串
[Ga]#[Sb]
InChI
1S/Ga.Sb
InChI key
VTGARNNDLOTBET-UHFFFAOYSA-N
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一般描述
未掺杂的 P 型半导体，生长技术：液封直拉法，载流子浓度 = 1-2×10-17cm-3，蚀坑密度 <103cm-2
热膨胀：6.1×10-6/oK；热导率：270mW/cm.k (300K)；迁移率 600~800cm2/V⋅s
外形
立方晶系 (a = 6.095Å)
警示用语：
Warning
危险声明
预防措施声明
危险分类
Acute Tox. 4 Inhalation - Acute Tox. 4 Oral - Aquatic Chronic 2
储存分类代码
13 - Non Combustible Solids
WGK
WGK 2
闪点(°F)
Not applicable
闪点(°C)
Not applicable
个人防护装备
dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves
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