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Merck
CN

803995

Graphene field effect transistor chip

别名:

GFET Chip

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UNSPSC Code:
12352103

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description

Material Description: graphene monolayer (RAMAN), Sheet resistance on Si/SiO2: 900 ± 50 ohms/sq

Quality Level

100

General description

Graphene:
  • Graphene Growth Process: Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition
  • Graphene Growth substrate: Copper foil, 25 μ thick
  • Transfer process: Wet electromechanical separation
  • Graphene Thickness: Single Atomic Layer
  • Sheet resistance on Si/SiO2: 900 ± 50 ohms/sq
  • FET mobility on Al2O3: ∼3000 cm2/V sec
  • FET mobility on Si/SiO2: ∼1500 cm2/V sec
  • FET mobility using new experimental method with unwrinkled graphene on Si/SiO2: ∼7000 cm2/V sec
  • Material uniformity: >95 % Single layer graphene
  • Transparency: >97.4 %

GFET device info:

  • GFET Device Dirac Voltage Range 0-60 V
  • GFET Chip: 10 devices per chip
  • Yield: 90 %

Application

  • Chemical Sensors
  • Biosensors

存储类别

11 - Combustible Solids

wgk

WGK 3

flash_point_f

Not applicable

flash_point_c

Not applicable

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MKCD0580
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Aniket Kakatkar et al.
Nanotechnology, 26(12), 125502-125502 (2015-03-06)
A graphene channel field-effect biosensor is demonstrated for detecting the binding of double-stranded DNA and poly-l-lysine. Sensors consist of chemical vapor deposition graphene transferred using a clean, etchant-free transfer method. The presence of DNA and poly-l-lysine are detected by the

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