Merck
CN
所有图片(2)

文件

339164

Sigma-Aldrich

双(环戊二烯)钴(II)

登录查看公司和协议定价
所有图片(2)
别名:
Cobaltocene
线性分子式:
Co(C5H5)2
CAS号:
1277-43-6
分子量:
189.12
EC 号:
215-061-0
MDL编号:
MFCD00013749
PubChem化学物质编号:
24860617
NACRES:
NA.23

形式

powder or crystals
solid

质量水平

100

reaction suitability

core: cobalt

mp

176-180 °C (dec.) (lit.)

储存温度

2-8°C

SMILES string

[Co].[CH]1[CH][CH][CH][CH]1.[CH]2[CH][CH][CH][CH]2

InChI

1S/2C5H5.Co/c2*1-2-4-5-3-1;/h2*1-5H;

InChI key

PXFGMRZPRDJDEK-UHFFFAOYSA-N

相关类别

一般描述

双(环戊二烯基)钴(II)也称为二茂钴，是一种有机金属化合物，广泛应用于聚合物合成、钴纳米材料和氧化还原液流电池领域。

应用

双(环戊二烯基)钴(II)可用于：
  • 作为掺杂剂制备 具有高热电转换效率的封装碳纳米管。
  • 作为 CVD 前驱体，用于制造 用于各种应用的氧化钴薄膜。
  • 作为锂基氧化还原液流电池中的氧化还原活性阳极物质， 以实现更高的能量密度和能源效率。
  • 作为甲基丙烯酸甲酯受控/“活性”自由基聚合的催化剂。

象形图

FlameHealth hazard
GHS02,GHS08

警示用语：

Danger

危险分类

Carc. 2 - Flam. Sol. 2 - Muta. 2 - Resp. Sens. 1 - Skin Sens. 1

储存分类代码

4.1B - Flammable solid hazardous materials

WGK

WGK 3

个人防护装备

Eyeshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges

分析证书(COA)

输入产品批号来搜索 分析证书(COA) 。批号可以在产品标签上"批“ （Lot或Batch）字后找到。

已有该产品？

为方便起见，与您过往购买产品相关的文件已保存在文档库中。

访问文档库

难以找到您所需的产品或批次号码？

在网站页面上，产品编号会附带包装尺寸/数量一起显示（例如：T1503-25G）。请确保 在“产品编号”字段中仅输入产品编号 (示例: T1503).

示例

T1503
货号
-
25G
包装规格/数量

其它示例：

705578-5MG-PW

PL860-CGA/SHF-1EA

MMYOMAG-74K-13

1000309185

输入内容 1.000309185)

遇到问题？欢迎随时联系我们技术服务 寻求帮助

批号可以在产品标签上"批“ （Lot或Batch）字后面找到。

Aldrich 产品

  • 如果您查询到的批号为 TO09019TO 等，请输入去除前两位字母的批号：09019TO。

  • 如果您查询到的批号含有填充代码（例如05427ES-021），请输入去除填充代码-021的批号：05427ES。

  • 如果您查询到的批号含有填充代码（例如 STBB0728K9），请输入去除填充代码K9的批号：STBB0728。

未找到您寻找的产品？

部分情况下，可能未在线提供COA。如果搜索不到COA，可在线索取。

索取COA

A high-performance all-metallocene-based, non-aqueous redox flow battery
Yu Ding, et al.
Energy & Environmental Science, 10, 491-497 (2017)
Thin films of cobalt oxide deposited on high aspect ratio supports by atomic layer deposition
Madeleine Diskus, et al
Chem. Vap. Deposition, 17, 135-140 (2011)
Jacob M Clary et al.
Nanotechnology, 31(17), 175703-175703 (2020-01-09)
Highly dispersed cobalt atoms were deposited on porous alumina particles using atomic layer deposition (ALD) with a CoCp2/H2 chemistry at approximately 7 wt%. H2 did not completely reduce the cyclopentadienyl organic ligands bound to deposited Co atoms at ALD reaction
Development of n-type cobaltocene-encapsulated carbon nanotubes with remarkable thermoelectric property
Takahiro Fukumaru, et al.
Scientific Reports, 5, 7951-7951 (2015)
Rachel L Meyer et al.
Chemistry (Weinheim an der Bergstrasse, Germany), 26(44), 9905-9914 (2020-03-21)
The rational control of the electrochemical properties of polyoxovanadate-alkoxide clusters is dependent on understanding the influence of various synthetic modifications on the overall redox processes of these systems. In this work, the electronic consequences of ligand substitution at the heteroion
查看所有相关文献

商品

Molecular Layer Deposition of Organic and Hybrid Organic-Inorganic Polymers

Atomic layer deposition (ALD) techniques have emerged in the last ten years to meet various needs including semiconductor device miniaturization, conformal deposition on porous structures and coating of nanoparticles. ALD is based on two sequential self-limiting surface reactions.

有机和有机无机杂化聚合物的分子层沉积

近十年来出现了原子层沉积（ALD）技术以满足各种需求，包括半导体器件小型化、多孔结构上的保形沉积和纳米颗粒涂层。ALD基于两个相继的自限性表面反应。

Nanostructured Materials Through Ultrasonic Spray Pyrolysis

The diversity of applications and nanostructured materials accessible using ultrasonic spray methods are highlighted in this article.

Recent Progress in Spintronic Materials

Spin-based electronic (spintronic) devices offer significant improvement to the limits of conventional charge-based memory and logic devices which suffer from high power usage, leakage current, performance saturation, and device complexity.

查看所有结果

我们的科学家团队拥有各种研究领域经验，包括生命科学、材料科学、化学合成、色谱、分析及许多其他领域.

联系技术服务部门