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关于此项目
线性分子式:
[(CH3)2N]4Hf
化学文摘社编号:
分子量:
354.79
NACRES:
NA.23
PubChem Substance ID:
UNSPSC Code:
12352103
MDL number:
InChI
1S/4C2H6N.Hf/c4*1-3-2;/h4*1-2H3;/q4*-1;+4
SMILES string
CN(C)[Hf](N(C)C)(N(C)C)N(C)C
InChI key
ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N
assay
≥99.99%
form
low-melting solid
reaction suitability
core: hafnium
mp
26-29 °C (lit.)
density
1.098 g/mL at 25 °C
Quality Level
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General description
四(二甲基氨基)铪(IV)是一种 有机金属化合物,由中心的铪原子(Hf) 和周围的四个二甲基氨基配体(NMe2)组成。通常用作CVD/ALD前=体, 生产高质量的Hf薄膜 。它是一种低熔点 固体。
Application
四(二甲基氨基)铪(IV)可用于:
- 作为原子层沉积(ALD)前驱体,沉积用于先进半导体器件的氧化铪薄膜。
- 作为制造聚合物衍生陶瓷纳米复合材料的前驱体。
- 使用三(异丙基-环戊二烯基)铈[Ce(iPrCp)3]前驱体和H2O,通过ALD法在Ge衬底上制备HfO2、CeO2和Ce掺杂HfO2薄膜。
- 在150−250 °C的低衬底温度下用TDMAH和氨制备Hf3N4薄膜。
Analysis Note
纯度:锆含量低于 ~2000ppm。
signalword
Danger
hcodes
Hazard Classifications
Flam. Sol. 1 - Skin Corr. 1B - Water-react 2
supp_hazards
存储类别
4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water
wgk
WGK 3
ppe
Eyeshields, Faceshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges
Electrical characterization of atomic-layer-deposited hafnium oxide films from hafnium tetrakis (dimethylamide) and water/ozone: Effects of growth temperature, oxygen source, and postdeposition annealing
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