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Merck
CN

553123

四(乙基甲基胺基)铪(IV)

≥99.99% trace metals basis

别名:

TEMAH, 四(乙基甲基氨基)铪(IV)

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关于此项目

线性分子式:
[(CH3)(C2H5)N]4Hf
化学文摘社编号:
352535-01-4
分子量:
410.90
MDL编号:
MFCD03427130
UNSPSC代码:
12352103
PubChem化学物质编号:
24879306
NACRES:
NA.23

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质量水平

200

方案

≥99.99% trace metals basis

表单

liquid

反应适用性

core: hafnium

杂质

Purity excludes ~2000 ppm Zirconium

沸点

78 °C/0.01 mmHg (lit.)

mp

<-50 °C

密度

1.324 g/mL at 25 °C (lit.)

SMILES字符串

CCN(C)[Hf](N(C)CC)(N(C)CC)N(C)CC

InChI

1S/4C3H8N.Hf/c4*1-3-4-2;/h4*3H2,1-2H3;/q4*-1;+4

InChI key

NPEOKFBCHNGLJD-UHFFFAOYSA-N

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一般描述

四双（乙基甲基氨）铪（IV）（TEMAH）是一种对水和空气敏感的无色液体。它在 -50 °C 结冰，在 0.1 托下，在 78 °C左右沸腾。

应用

TEMAH 被用作氧化铪（HfO2）薄膜的原子层沉积（ALD）的前体。因为 HfO2 具有 16-25 的高介电常数，所以它通常用作半导体制造中的介电膜。

TEMAH 由于其低沸点以及与水和臭氧的反应性，是 ALD 的理想选择。最重要的是，它在包括玻璃、氧化铟锡（ITO）和硅（100）在内的许多基板上的吸附是自限制的。研究人员还用它在 MoS2等二维材料上沉积 HfO2薄膜。


TEMAH 也是在MoS2光电晶体管上合成铁电铪-氧化锆和Hf1-xZrxO2薄膜的有用前体。研究人员还通过 ALD 交替脉冲 TEMAH 和氨沉积了氮化铪（Hf3N4）薄膜。

特点和优势

  • 热稳定性。
  • 它具有足够的挥发性，适合用于气相沉积。
  • 完全自我限制的表面反应。

警示用语：

Danger

危险分类

Acute Tox. 4 Oral - Eye Dam. 1 - Flam. Liq. 2 - Skin Corr. 1B - STOT SE 3 - Water-react 1

靶器官

Respiratory system

补充剂危害

EUH014

储存分类代码

4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water

WGK

WGK 3

闪点(°F)

51.8 °F - closed cup

闪点(°C)

11 °C - closed cup

个人防护装备

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type ABEK (EN14387) respirator filter

法规信息

危险化学品
此项目有

历史批次信息供参考:

分析证书(COA)

Lot/Batch Number
SHBS6790
SHBL2201
SHBL4385
SHBH4669V
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