跳转至内容
Merck
CN

553123

Sigma-Aldrich

四(乙基甲基胺基)铪(IV)

≥99.99% trace metals basis

别名:

TEMAH, 四(乙基甲基氨基)铪(IV)

登录查看公司和协议定价

关于此项目

线性分子式:
[(CH3)(C2H5)N]4Hf
CAS Number:
352535-01-4
分子量:
410.90
MDL编号:
MFCD03427130
UNSPSC代码:
12352103
PubChem化学物质编号:
24879306
NACRES:
NA.23

主要文件

查看所有文档
技术服务
需要帮助？我们经验丰富的科学家团队随时乐意为您服务。
让我们为您提供帮助
技术服务
需要帮助？我们经验丰富的科学家团队随时乐意为您服务。
让我们为您提供帮助

质量水平

200

方案

≥99.99% trace metals basis

表单

liquid

反应适用性

core: hafnium

杂质

Purity excludes ~2000 ppm Zirconium

沸点

78 °C/0.01 mmHg (lit.)

mp

<-50 °C

密度

1.324 g/mL at 25 °C (lit.)

SMILES字符串

CCN(C)[Hf](N(C)CC)(N(C)CC)N(C)CC

InChI

1S/4C3H8N.Hf/c4*1-3-4-2;/h4*3H2,1-2H3;/q4*-1;+4

InChI key

NPEOKFBCHNGLJD-UHFFFAOYSA-N

正在寻找类似产品? 访问 产品对比指南

相关类别

一般描述

四双（乙基甲基氨）铪（IV）（TEMAH）是一种对水和空气敏感的无色液体。它在 -50 °C 结冰，在 0.1 托下，在 78 °C左右沸腾。

应用

TEMAH 被用作氧化铪（HfO2）薄膜的原子层沉积（ALD）的前体。因为 HfO2 具有 16-25 的高介电常数，所以它通常用作半导体制造中的介电膜。

TEMAH 由于其低沸点以及与水和臭氧的反应性，是 ALD 的理想选择。最重要的是，它在包括玻璃、氧化铟锡（ITO）和硅（100）在内的许多基板上的吸附是自限制的。研究人员还用它在 MoS2等二维材料上沉积 HfO2薄膜。


TEMAH 也是在MoS2光电晶体管上合成铁电铪-氧化锆和Hf1-xZrxO2薄膜的有用前体。研究人员还通过 ALD 交替脉冲 TEMAH 和氨沉积了氮化铪（Hf3N4）薄膜。

特点和优势

  • 热稳定性。
  • 它具有足够的挥发性，适合用于气相沉积。
  • 完全自我限制的表面反应。

警示用语：

Danger

危险分类

Acute Tox. 4 Oral - Eye Dam. 1 - Flam. Liq. 2 - Skin Corr. 1B - STOT SE 3 - Water-react 1

靶器官

Respiratory system

补充剂危害

EUH014

储存分类代码

4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water

WGK

WGK 3

闪点(°F)

51.8 °F - closed cup

闪点(°C)

11 °C - closed cup

个人防护装备

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type ABEK (EN14387) respirator filter

法规信息

危险化学品

历史批次信息供参考:

分析证书(COA)

Lot/Batch Number
SHBL2201
SHBL4385
SHBH4669V
SHBC3852V
SHBC4705V

没有发现合适的版本？

如果您需要特殊版本，可通过批号或批次号查找具体证书。

搜索COA

已有该产品？

在文件库中查找您最近购买产品的文档。

访问文档库

Atomic Layer Deposition of Hafnium Dioxide Films from Hafnium Tetrakis(ethylmethylamide) and Water.
Kukli K, et al.
Chem. Vap. Deposition, 8, 199-204 (2002)
Jaehyun Yang et al.
ACS applied materials & interfaces, 5(11), 4739-4744 (2013-05-21)
We report on the effect of oxygen plasma treatment of two-dimensional multilayer MoS2 crystals on the subsequent growth of Al2O3 and HfO2 films, which were formed by atomic layer deposition (ALD) using trimethylaluminum and tetrakis-(ethylmethylamino)hafnium metal precursors, respectively, with water
Luqi Tu et al.
Nature communications, 11(1), 101-101 (2020-01-05)
Sensitive photodetection is crucial for modern optoelectronic technology. Two-dimensional molybdenum disulfide (MoS2) with unique crystal structure, and extraordinary electrical and optical properties is a promising candidate for ultrasensitive photodetection. Previously reported methods to improve the performance of MoS2 photodetectors have focused

商品

Nanowire Synthesis: From Top-Down to Bottom-Up

The properties of many devices are limited by the intrinsic properties of the materials that compose them.

我们的科学家团队拥有各种研究领域经验，包括生命科学、材料科学、化学合成、色谱、分析及许多其他领域.

联系客户支持