表单
crystalline (cubic (a = 5.4037))
wafer (single side polished)
质量水平
不包含
dopant
直径× 厚度
2 in. × 0.5 mm
沸点
2355 °C (lit.)
mp
1410 °C (lit.)
密度
2.33 g/mL at 25 °C (lit.)
半导体性质
<100>, N-type
SMILES字符串
[Si]
InChI
1S/Si
InChI key
XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N
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一般描述
硅晶片或基底的“切片”可应用于集成电路、太阳能电池等的制造中。它们可用作各种微电子设备的基底。
应用
- Innovative Solutions for High-Performance Silicon Anodes in Lithium-Ion Batteries: Overcoming Challenges and Real-World Applications.：该文解决了在锂离子电池中采用高性能硅负极的挑战和实际应用，提供增强效率的创新解决方案(Khan et al., 2024)。
- Strain Engineering: Perfecting Freestanding Perovskite Oxide Fabrication.：研究改进了自支撑钙钛矿氧化物制造的应变工程，对于各种高纯硅的学术应用有重要意义(Yun et al., 2024)。
物理属性
氧含量：≤ 1~1.8×1018/cm3；碳含量：≤ 5×1016/cm3；晶棒直径：1~8″
零涡旋缺陷。蚀坑密度 (EPD) < 100 (cm-2)。电阻率 100 - 3000Ωcm
储存分类代码
13 - Non Combustible Solids
WGK
WGK 3
闪点(°F)
Not applicable
闪点(°C)
Not applicable
个人防护装备
Eyeshields, Gloves, type N95 (US)
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