表单
crystalline (cubic (a = 5.4037))
wafer
质量水平
包含
boron as dopant
直径× 厚度
2 in. × 0.3 mm
沸点
2355 °C (lit.)
mp
1410 °C (lit.)
密度
2.33 g/mL at 25 °C (lit.)
半导体性质
<111>, P-type
SMILES字符串
[Si]
InChI
1S/Si
InChI key
XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N
正在寻找类似产品? 访问 产品对比指南
物理属性
氧含量:≤ 1~1.8×1018/cm3;碳含量:≤ 5×1016/cm3;晶棒直径:1~8″
零涡旋缺陷。蚀坑密度 (EPD) < 100 (cm-2)。电阻率 10-3 - 40Ωcm
储存分类代码
13 - Non Combustible Solids
WGK
WGK 2
闪点(°F)
Not applicable
闪点(°C)
Not applicable
个人防护装备
Eyeshields, Gloves, type N95 (US)
我们的科学家团队拥有各种研究领域经验,包括生命科学、材料科学、化学合成、色谱、分析及许多其他领域.
联系客户支持