grade
standard
Quality Level
composition
volatiles, 85%
color
orange
bp
100 °C/1 atm
density
1.16 g/mL at 25 °C
General description
铬蚀刻剂是铬基溶液，可从底物移除多余金属。这些蚀刻剂主要用于金属表面处理和电子工业。蚀刻速率为4 mm/s，可用于蚀刻镍、铜和铬基多余金属。
- 外观- 橙色透明
- pH - 酸性
- 40 °C下蚀刻速度 - 40 Å/秒
- 蚀刻能力（ ~70%速度下降) - 65 克/加仑
- 保质期- 1 年
- 储存条件 - 室温
- 过滤 - 0.2 µm
- 推荐操作温度 - 20-80 °C （30-40 °C 最常见）
- 冲洗 - 去离子水r
- 光致抗蚀剂建议 - KLT6000 系列、KLT 5300 系列、HARE SQT （SU-8型）、 TRANSIST或PKP -308PI
- 相容的材料 - 金、钛、氧化物、氮化物、硅
- 不相容的材料 - 铝、镍、铜、镍铬合金
- 相容的塑料 - HDPE、PP、PTFE、PFA、PVC
- 各向同性- 具有各向同性
- 不相容的化学品- 强碱
我们的铬蚀刻剂是一种高纯度硝酸铈铵系统，用于铬和氧化铬薄膜精确、洁净的蚀刻。兼容阳性和阴性光致抗蚀剂。我们的铬蚀刻剂通过过滤去除了0.2 微米以上的所有颗粒。 蚀刻温度因薄膜厚度不同而不同。室温下蚀刻时间在15秒至60秒之间。铬蚀刻剂应在通风橱中操作。
硝酸铈铵基蚀刻剂。室温下蚀刻速率为40埃/秒。只需用去离子水冲洗干净即可蚀刻。
Application
该产品可蚀刻铝、铬、铜、镍、GaAs。它能表面氧化硅、钽/TaN，但对Si3N4, SiO2, Ti, 和 W表面没有影响
用于室温或高温条件。蚀刻干净，省去中间清洗环节。蚀刻温度随膜的厚度而改变。室温下蚀刻时间在 15 到 60 秒之间。注意，应在通风良好的通风橱内处理铬蚀刻剂。
Features and Benefits
设计用于铬和氧化铬薄膜的精确、清洁蚀刻。与正性和负性光致抗蚀剂均可相容。经 0.2 微米孔过器过滤以去除微粒。
signalword
Danger
hcodes
Hazard Classifications
Aquatic Chronic 2 - Eye Dam. 1 - Met. Corr. 1 - Ox. Liq. 2 - Skin Corr. 1B - Skin Sens. 1
supp_hazards
存储类别
5.1B - Oxidizing hazardous materials
wgk
WGK 3
flash_point_f
Not applicable
flash_point_c
Not applicable
实验方案
Photoresist kit offers pre-weighed chemical components for lithographic processes, with separate etchants for various substrate choices.
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Technical Bulletins
Thermoelectric microconverter for energy harvesting systems.
Carmo J, et al.
IEEE Transactions on Industrial Electronics, 57(3), 861-867 (2010)
Pressure-driven Fermi surface reconstruction of chromium
Stillwell RL, et al.
Physical Review, 88(12) (2013)
Fabrication and Mechanical Properties Measurements of 3D Microtissues for the Study of Cell-Matrix Interactions.
The Surfaceome, 120(5), 303-328 (2018)
全球贸易项目编号
| 货号 | GTIN |
|---|---|
| 651826-500ML | 04061832732657 |