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Merck
CN

666610

四(二甲基氨基)铪 (Ⅳ)

packaged for use in deposition systems

别名:

TDMAH, 四(二甲胺基)铪(IV)

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关于此项目

线性分子式:
[(CH3)2N]4Hf
化学文摘社编号:
分子量:
354.79
NACRES:
NA.23
PubChem Substance ID:
UNSPSC Code:
12352103
MDL number:
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Quality Level

assay

≥99.99% (trace metals analysis)

form

low-melting solid

reaction suitability

core: hafnium

mp

26-29 °C (lit.)

density

1.098 g/mL at 25 °C

SMILES string

CN(C)[Hf](N(C)C)(N(C)C)N(C)C

InChI

1S/4C2H6N.Hf/c4*1-3-2;/h4*1-2H3;/q4*-1;+4

InChI key

ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N

General description

铪烷基酰胺是制备平滑非晶氧化铪薄膜的一种简便有效的原子层沉积前驱体。

Application

用作氧化铪纳米层压板的原子层沉积的前体,其用作半导体器件中的氧化硅的替换物。


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pictograms

FlameCorrosion

signalword

Danger

supp_hazards

存储类别

4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water

wgk

WGK 3

flash_point_f

109.4 °F - closed cup

flash_point_c

43 °C - closed cup

ppe

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges

Hazard Classifications

Flam. Sol. 1 - Skin Corr. 1B - Water-react. 2



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商品

High Purity Metalorganic Precursors for CPV Device Fabrication

Nanocomposite Coatings with Tunable Properties Prepared by Atomic Layer Deposition

Atomic Layer Deposition (ALD) technology ensures uniform coating on complex 3D surfaces with precise chemisorption cycles.

查看所有文章

Surface morphology and crystallinity control in the atomic layer deposition (ALD) of hafnium and zirconium oxide thin films
Hausmann DM, Gordon RG
Journal of Crystal Growth, 249, 251-261 (2003)
High Purity Metalorganic Precursors for CPV Device Fabrication
Rushworth S
Material Matters, 5(4) null
Applied Physics Letters, 91, 193503-193503 (2007)



全球贸易项目编号

货号GTIN
666610-25G04061832734569